专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体封装结构-CN202110547993.4在审
  • 陈小璇 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-05-19 - 2022-11-22 - H01L23/367
  • 本发明实施例提供一种半导体封装结构,包括:基底以及位于所述基底上的至少一个半导体结构;网格状的导热框架,所述导热框架位于所述半导体结构远离所述基底的表面上和所述半导体结构的至少部分侧壁上;封装层,所述封装层填充所述导热框架的网孔,且覆盖所述半导体结构的表面和所述导热框架的至少部分表面;所述导热框架的导热系数大于所述封装层的导热系数。本发明实施例提供的半导体封装结构有利于提高半导体封装结构的性能。
  • 半导体封装结构
  • [实用新型]半导体封装结构-CN201320252651.0有效
  • 屠建波 - 深圳市中策科技发展有限公司
  • 2013-05-11 - 2013-10-23 - H01L33/56
  • 一种半导体封装结构,包括:基板、半导体模块、封装玻璃,基板与半导体模块之间设置有电气连接结构半导体模块包括:多个半导体芯片单元,半导体芯片单元包括:衬底、及低温缓冲层、N型电子注入层、多量子阱有源层、电子阻挡层、P型空穴注入层、P型电极金属全发射层;P型电极金属全发射层上设置有P型电极,衬底底部设置有N型电极;任一半导体模块中的所有半导体芯片单元由同一衬底连接且相互之间电学隔离;任一半导体模块中的所有半导体芯片单元的P型电极电连接;封装玻璃上设置有荧光层;上述的半导体封装结构采用封装玻璃进行封装,有较好的同光性、高温稳定性及密封性。使用玻璃封装半导体芯片的光线出射率更高,透光性更好。
  • 半导体封装结构
  • [实用新型]半导体封装结构-CN201520434671.9有效
  • 郭桂冠;陈乾;汪虞;叶铭贤 - 苏州日月新半导体有限公司;晶致半导体股份有限公司
  • 2015-06-23 - 2015-11-18 - H01L23/31
  • 本实用新型公开了一种半导体封装结构。根据本实用新型一实施例的半导体封装结构包括:芯片,具有设置电子线路的正面及与该正面相对的背面;引脚,藉由引线与芯片连接;塑封壳体,自上遮蔽芯片、引脚及引线;其中芯片的背面及引脚的背面暴露于塑封壳体的下表面,且芯片的背面凹陷于半导体封装结构内。本实用新型的半导体封装结构由于不具有导线框架的基底层,从而降低半导体封装结构的厚度;并且由于芯片的一面暴露在半导体封装结构外,提高了半导体封装结构的散热性能。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]半导体封装结构-CN201610114652.7有效
  • 郭哲宏;陈盈志;周哲雅 - 联发科技股份有限公司
  • 2016-03-01 - 2019-02-01 - H01L23/31
  • 本发明实施例公开了半导体封装结构,所述半导体封装结构包括:第一基板;设置在所述第一基板上的第一半导体芯片;以及,位于所述第一半导体芯片上的被动元器件,其中,在俯视图中,所述被动元器件设置在所述半导体芯片的边缘内本发明提供的半导体封装结构可在维持被动元器件的尺寸和半导体封装的导电凸块的布局的同时符合成本效率和具有小封装尺寸的要求。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]半导体封装结构-CN202210757521.6在审
  • 梁昌;段志刚;陈泰宇;陈发泉 - 联发科技(新加坡)私人有限公司
  • 2022-06-29 - 2023-01-13 - H01L23/367
  • 本发明提供半导体封装结构,可提高散热效率。在一个实施例中,本发明提供的半导体封装结构可包括:基础衬底;第一重分布层,设置在该基础衬底上;半导体芯片,设置在该第一重分布层上;硅电容器,设置在该第一重分布层下方并电性耦合至该半导体芯片,其中该硅电容器包括:半导体衬底;和多个电容器单元,嵌入在该半导体衬底中;该半导体封装结构还包括:第一凸块结构,设置于该硅电容器与该基础衬底之间。在该实施例中,半导体封装结构可利用设置在该第一重分布层下方并电性耦合至半导体芯片的硅电容器和第一凸块结构传递半导体芯片的热量,由此可提高半导体封装结构的散热效率。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]半导体封装结构-CN201610015584.9在审
  • 林子闳;彭逸轩 - 联发科技股份有限公司
  • 2016-01-11 - 2016-09-14 - H01L23/31
  • 本发明公开了一种半导体封装结构,可以降低封装面积。该半导体封装结构包含:第一半导体封装,该第一半导体封装包含有:第一半导体祼芯片;第一模塑料,围绕该第一半导体祼芯片;第一重分布层结构,设置在该第一模塑料的底面上,该第一半导体祼芯片耦接至该第一重分布层结构;第二重分布层结构,设置在该第一模塑料的顶面上;以及被动元件,耦接至该第二重分布层结构
  • 半导体封装结构
  • [实用新型]半导体封装结构-CN202120639680.7有效
  • 陶媛;沈冬冬 - 华为技术有限公司
  • 2021-03-29 - 2021-12-31 - H01L25/07
  • 本申请涉及半导体封装领域,提供一种半导体封装结构,包括基板、电子组件、封装体及金属屏蔽层。基板包括衬垫、电路连接结构及接触垫;电子组件包括第一电子器件及第二电子器件;封装体覆盖所述电子组件,并开设有隔离槽;金属屏蔽层包括封装屏蔽部及连接屏蔽部,封装屏蔽部与电路连接结构电性连接;在隔离槽贯穿封装体时,隔离槽的下半部填充有第一导电填充体;在隔离槽未贯穿封装体时,半导体封装结构还包括导电嵌入体,隔离槽开设至露出导电嵌入体的上表面。本半导体封装结构减小了隔离槽内导电材料的用量,半导体封装结构在经受热量变化时,相较于隔离槽内填满导电材料,本半导体封装结构的翘曲变小。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]半导体封装结构-CN201810133272.7有效
  • 林子闳;张嘉诚;彭逸轩 - 联发科技股份有限公司
  • 2018-02-09 - 2020-03-31 - H01L25/18
  • 本发明实施例提供了一种半导体封装结构,其包括:第一半导体封装和第二半导体封装,该第二半导体封装位于该第一半导体封装的一部分上。该第一半导体封装包括:第一RDL结构,第一半导体管芯以及模塑料。该第一半导体管芯设置在该第一RDL结构的第一表面上并且电性耦接至该第一RDL结构。该第一模塑料设置在该第一RDL结构的该第一表面上并且围绕该第一半导体管芯。该第二半导体封装包括:第一存储器管芯和第二存储器管芯,垂直地堆叠于该第一存储器管芯上。该第二存储器管芯通过穿过该第二存储器管芯的硅通孔(TSV)互连结构电性耦接至该第一存储器管芯。
  • 半导体封装结构
  • [实用新型]半导体封装结构-CN201721045250.2有效
  • 郑友君;邓海龙;姚赛;郑志乾;彭彧 - 嘉盛半导体(苏州)有限公司
  • 2017-08-21 - 2018-03-02 - H01L23/31
  • 本申请提供了一种半导体封装结构,包括正面设置有多个第一焊垫的基板;半导体晶片单元,其正面间隔设置有与多个第一焊垫相对应地导电凸起,多个导电凸起分别顶触在对应地第一焊垫上;固定基板和半导体晶片单元的封装件,封装件位于多个导电凸起的外侧,基板的正面、半导体晶片单元的正面以及封装件之间形成密封腔体,密封腔体由多个导电凸起、基板的正面以及半导体晶片单元的正面所限定出的非密封腔体经由封装件密封而成。本申请的半导体封装结构以及封装方法能有效地解决半导体封装结构中形成密封腔体制造工艺复杂以及封装成本较高的问题。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]半导体封装结构-CN202111554617.4在审
  • 郭哲宏;刘兴治;许家豪 - 联发科技股份有限公司
  • 2021-12-17 - 2022-07-19 - H01L23/367
  • 本发明公开一种半导体封装结构,包括:第一重分布层;半导体晶粒,设置在该第一重分布层上方;散热器,设置在该半导体晶粒上方;以及模制材料,围绕该半导体晶粒和该散热器。本发明实施例半导体封装结构包括邻近热源的散热器,以提高散热效率,进而提升半导体封装结构的性能。本发明实施例特别适用于堆叠封装中的散热,因为堆叠封装厚度较厚,因而散热效率较低,采用本发明实施例的结构可以显著的提高散热效率。
  • 半导体封装结构
  • [发明专利]半导体封装结构-CN201710206510.8在审
  • 林子闳;彭逸轩;刘乃玮;黄伟哲;周哲雅 - 联发科技股份有限公司
  • 2017-03-31 - 2017-11-24 - H01L23/31
  • 本发明实施例提供了一种半导体封装结构。其中该半导体封装结构包括半导体封装;其中,该半导体封装包括重分布层结构半导体晶粒和多个导电结构;其中,该重分布层结构具有相对设置的第一表面与第二表面,并且包括多条导电线路和天线图案,分别邻近该第一表面与该第二表面;其中,该半导体晶粒,设置于该第一表面上并且电性耦接该重分布层结构;其中,该多个导电结构电性耦接至该重分布层结构,并且通过该多条第一导电线路与该天线图案隔开。本发明实施例,将天线图案整合于重分布层结构中,从而可以提高半导体封装结构的集成水平。
  • 半导体封装结构

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